可关断可控硅（Gate Turn-Off Thyristor, GTO）是一类具备门极负向触发自关断能力的全控型功率半导体器件，其核心特征在于突破传统晶闸管（SCR）需依赖电源切断或反向电压才能关断的技术局限，通过门极负脉冲信号抽取阳极电流即可实现主动关断 [1-2][4]。该器件采用 PNPN 四层半导体结构，内部集成数十至数百个共阳极微 GTO 单元，门极与阴极呈并联拓扑，凭借高耐压、大电流密度及自关断特性，广泛应用于工业变频器、轨道交通牵引变流器、电力机车牵引系统等中高压大功率电力电子装置 [3-4][6]。
GTO 与传统晶闸管（SCR）同属 PNPN 四层三端器件（阳极 A、阴极 K、门极 G），二者结构及等效电路具有一致性，且触发导通原理相同，但关断机制存在本质差异：SCR 导通后处于深度饱和状态，而 GTO 导通后仅维持临界饱和，这一特性为门极负向信号关断提供了物理基础。作为 GTO 的核心性能参数，关断增益（βoff）定义为阳极最大可关断电流（IATM）与门极最大负向驱动电流（IGM）的比值，数学表达式为 βoff = IATM/IGM，其典型取值范围为几倍至几十倍，βoff 值越高，表明门极对阳极电流的控制能力越强，该参数与功率晶体管的电流放大系数（hFE）具有原理相似性 [1][5-6]。
在器件形态上，大功率 GTO 普遍采用模块化封装设计，以优化散热性能与电气连接可靠性；在应用场景中，GTO 无需复杂换流回路即可实现高压大电流工况下的精准通断控制，有效降低设备体积、重量及能量损耗，同时减少波形畸变与电磁噪声，其额定容量已达 3000A/4500V 级别，在斩波调速、变频调速、逆变电源等电力电子变换系统中展现出显著技术优势 [3-6]。
将万用表调至 R×1 量程，测量任意两电极间的绝缘电阻：仅当黑表笔接门极（G）、红表笔接阴极（K）时，回路呈现低阻特性；其余电极组合均表现为无穷大绝缘电阻。据此可直接判定 G 极与 K 极，剩余电极为阳极（A）。
- 初始状态：万用表黑表笔接 A 极、红表笔接 K 极，回路呈无穷大电阻；
- 触发操作：用黑表笔同时接触 G 极与 A 极，施加正向触发信号，若表针偏转至低阻区间，表明 GTO 成功导通；
- 维持验证：移除门极触发信号，若 GTO 仍保持通态，证明其触发能力正常。
- 保持表 Ⅰ（R×1 量程）A-K 极连接方式不变；
- 将表 Ⅱ 调至 R×10 量程，红表笔接 G 极、黑表笔接 K 极，施加门极负向触发信号；
- 若表 Ⅰ 指针跳转至无穷大位置，表明 GTO 具备可靠关断能力。
- 按触发能力验证步骤使 GTO 导通，记录表 Ⅰ 指针正向偏转格数 n₁；
- 接入表 Ⅱ 施加负向触发信号迫使 GTO 关断，记录表 Ⅱ 指针正向偏转格数 n₂；
- 基于万用表量程电流系数推导估测公式：βoff = IATM/IGM ≈ IAT/IG = (K₁n₁)/(K₂n₂)其中，K₁为表 ⅠR×1 量程电流比例系数，K₂为表 ⅡR×10 量程电流比例系数，因 K₁/K₂≈10，故简化为：βoff ≈ 10×n₁/n₂该方法无需精确测量电流值，通过偏转格数即可快速估测关断增益。
- 测试大功率 GTO 时，建议在万用表 R×1 量程回路中串联一节 1.5V 电池，以提升测试电压与电流幅值，确保器件可靠导通；
- 关断增益的精准测量需依赖专用测试设备，业余条件下的估测结果受测试环境影响，仅作为参考或相对比较依据；
- 测试过程中需避免电极接反或过载，防止器件损坏及测量误差。
