中科院提出：晶圆级大芯片将使用22 纳米工艺制造——“Zhejiang”

在当今数字化时代，ADS8341E芯片已经成为现代社会的核心技术之一。随着信息技术的不断发展，晶圆级大芯片的需求量也在迅速增长。然而，由于制造难度大、成本高，以及技术瓶颈等原因，晶圆级大芯片的制造一直面临着挑战。

中国科学院（CAS）计算技术研究所的研究人员刚刚在《基础研究》杂志上发表了一篇论文，讨论了光刻和小芯片的局限性，并提出了一种他们称之为“大芯片”的架构，该架构模仿了晶圆级Trilogy Systems 在 20 世纪 80 年代的努力以及Cerebras Systems 在 2020 年代成功的晶圆级架构。埃隆·马斯克 （Elon Musk） 的特斯拉正在打造自己的“Dojo”超级计算机芯片，但这不是晶圆级设计，而是将Dojo D1 核心复杂地封装成某种东西，如果你眯着眼睛看，它看起来就像是由 360 个小芯片构建的晶圆级插槽。也许通过 Dojo2 芯片，特斯拉将转向真正的晶圆级设计。看起来并不需要做很多工作就能完成这样的壮举。

中国科学院整理的这篇论文讨论了很多关于为什么需要开发晶圆级器件的问题，但没有提供太多关于他们开发的大芯片架构实际上是什么样子的细节。它并没有表明大芯片是否会像特斯拉对 Dojo 那样采用小芯片方法，或者像 Cerebras 从一开始就一路向晶圆级发展。

研究人员表示，该设计能够在单个分立器件中扩展至 100 个小芯片，我们过去称之为插槽，但对我们来说听起来更像是系统板。目前尚不清楚这 100 个小芯片将如何配置，也不清楚这些小芯片将实现什么样的内存架构（阵列中将有 1，600 个内核）。

我们所知道的是，随着大芯片的迭代，有 16 个 RISC-V 处理器使用芯片上的网络在共享主内存上进行对称多处理，相互连接，并且小芯片之间有 SMP 链接，因此每个块可以在整个复合体中共享内存。

为了解决这一问题，中国科学院（以下简称中科院）提出了一项新方案：将晶圆级大芯片使用22纳米工艺制造。这一方案通过采用更先进的制造工艺，可以显著提高芯片的性能和可靠性，同时降低成本。

22纳米工艺是一种目前比较成熟的半导体制造工艺，它可以在晶圆上制造出更小、更密集的晶体管。相比之前的工艺，22纳米工艺可以提供更高的集成度和更低的功耗，从而使芯片的性能得到显著提升。此外，22纳米工艺还可以提高芯片的可靠性，降低故障率，延长芯片的使用寿命。

中科院计划在研发22纳米工艺的同时，还将积极推动晶圆级大芯片的生产工艺的技术创新。通过引入先进的材料和制造工艺，中科院希望能够解决目前晶圆级大芯片制造中的一些关键问题，如热管理、电压稳定性等。同时，中科院还将与国内外的芯片制造企业合作，共同推动晶圆级大芯片的产业化。

中科院的这一方案引起了业界的广泛关注。有业内人士表示，晶圆级大芯片的制造难度一直是制约芯片产业发展的一个关键因素，中科院提出的22纳米工艺制造方案有望为解决这一问题提供新的思路和方法。同时，该方案的实施还有助于提升我国芯片产业的竞争力，推动我国在芯片领域的自主创新能力。

然而，也有人对中科院的方案提出了一些质疑。一些业内人士表示，22纳米工艺在芯片制造领域已经过时，当前主流的工艺已经发展到了7纳米甚至更小。因此，中科院的方案是否能够适应未来芯片制造的需求，还需要进一步的研究和验证。

总体而言，中科院提出的晶圆级大芯片使用22纳米工艺制造的方案，为解决晶圆级大芯片制造难题提供了新的思路和方法，有望促进芯片产业的发展，并提升我国在芯片领域的竞争力。然而，该方案还需要进一步的研究和验证，以确保其能够适应未来芯片制造的需求。